新芯片设计，非常完先进。
且，新芯片采新材质，硅，性表。
正因此，新芯片才制程工艺远远落况，却全方位超越锐龙r9 3900x酷睿i9 9900k。
碳基集电路技术，才。
未芯片实验室并技术，实验室技术，做熟已。
早，实验室通碳纳米管制造芯片核元器件，晶体管，并且由碳纳米管制晶体管，尺寸硅材料制晶体管5倍，并且耗其五分。
重，臻芯片实换超车突破口。
，目止，技术实验室实，法做商业化，更法实量产，需攻克技术难关非常，突破口，展方向。
未芯片实验室，实做品，并且效果更。
未芯片实验室新芯片，采碳纳米管制造碳基芯片，运算速度做尺寸硅材料制晶体管10倍，其耗更五分。
且，芯片品制造，及相关测试数据，证明量产商业化性。
久，英特尔公布10nm制程及首次展示10nm晶圆，10nm制程做每平方毫米1亿晶体管，10nm制程台积电每平方毫米4800万晶体管，三星则每平方毫米5160万。
数据，英特尔10nm制程晶体管密度做极致，10nm制程相难产，至今正式推相关产品。
未芯片实验室新芯片22nm制程，晶体管密度仅做每平方毫米2000万晶体管。
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单单22nm制程晶体管密度，未芯片实验室芯片已经做极致，连英特尔22nm工艺做每平方毫米1530 万晶体管，几乎被认22nm工艺极限。
未芯片实验室新芯片，22nm制程，却达每平方毫米2000万晶体管，比英特尔1530万晶体管，470万晶体管。
，比英特尔10nm制程，未芯片实验室22制程落许，晶体管密度仅仅英特尔10nm五分。
，益设计材质，数量晶体管，碳基芯片性却做十倍，新芯片2000万晶体管，其性已经超越英特尔1亿晶体管，甚至性增强倍。
重，性增强倍况，碳基芯片耗者五分，且散热更佳。
性、耗、散热处优势，才让封新立全方位超越锐龙r9 3900x酷睿i9 9900k话。
果仅仅性超越话，封新立全方位超越，任何方，优越标产品，才算全方位超越。
碳基芯片，半导体，次技术重跨越。
仅仅采22nm制程，碳基芯片已经全方位超越标产品，果采更先进制程，比英特尔14nm制程，甚至10nm制程话，其性增强什程度，五倍，十倍，甚至更高，。
正因此，测试结果，封新立才此激。
尽管，项技术并封新立团队，参与其，并且亲眼见果，足让激已。
苏昱很高兴，信项技术，属跨代产品。
今，品证明点，并让失望，甚至让感很震撼。
兑换芯片设计图纸候，苏昱已经知属十产品，领先技术至少十间，属真正跨代产品。
，制造芯片制程，远领先十夸张程度。
按照芯片展速度，算硅芯片需两，追项技术，或者英特尔amd实验室，已经掌握性技术，解决本问题已，需两间，便量产售。
，枚芯片处理器，性方仅仅领先两。
苏昱花费12亿点爆点值兑换芯片图纸，简单，少领先十，绝句空话。
实，份芯片图纸，确做程度。
苏昱兑换制造设备，仅仅22nm制程产，满足更高难度制程。
论芯片图纸，制造设备，止步22nm制程，做更，甚至实1nm制造工艺。
果苏昱愿话，直接跳14nm、10nm、7nm、5nm，直接制造1nm制程芯片。
点，，并问题，设计图纸制造设备满足条件，随启。
苏昱认必，提供给未科技公司图纸，仅仅限22nm制程，制造设备全部被限制22nm制程，产14nm芯片已。
至什做，理由很简单。
领先半步才，领先步疯，1nm制程芯片，代，已经领先步简单。
果苏昱制造1nm芯片，相关产品技术却跟话，芯片性再优越，武，且凭空增加量本。
算退万步讲，1nm芯片，实商，其相关技术跟。
技术，直接摧毁整芯片业。
毕竟，领先两话，其竞争希望追赶，力继续研，存土壤。
领先十二十话，直接摧毁竞争，再竞争继续研，相关研短间消失，研才慢慢流失，再研才。
况，苏昱避讳。
因，知技术新闻系统直接提供，相关技术积累，底蕴。
果技术突消失，或者再新闻系统，芯片研方向此消失，全球芯片业，将造重创。