王岸公司常务，每项决策选择题，虽世见识，部分很容易选佳答案。
，销售，团队培养，金融等各方，白存。
实王岸世直企业管理经验，虽混amd高层，仅仅技术拿。
相比坐办公室签字，更喜欢留实验室内，解决接技术难题。
此刻，让感兴趣，莫芯片制造。
华芯科技芯片加工厂已经进产调试，三条产线表差异。
东芝芯片产线，试产良品率达60%，ibm产线，良品率达40%。
技术员已经严格按操规程业，知，芯片产几百工序，每工序即便达99%功率，累计300指数等级，良品率将足0.1%。
【推荐，野果阅读追书真，载 快试试吧。】
每工序必须保证99.999999……%准确率。
知，保证良品率，需付努力。
东芝技术员帮助，intel转让金属铝物理气相沉积技术进改进，效果料。
此，王岸东芝签定补充协议，五百万元代价，邀请东芝技术员帮忙消化intel技术。
实，王岸非常喜欢东芝公司打交，钱，尽程度满足需求，且折扣。
东芝，因卖给苏联五轴联机床，老愿放，东芝产品允许售卖，知候，全世界半导体市场，直接砍断，东芝影响力谓空。
再加利坚弟英格兰，表老衷，带头东芝进封杀，煽英联邦员东芝进制裁。
间，东芝损失全球半市场，至每财报长串赤字。
与华芯科技合，共涉及亿元，，东芝言，尤重。
且金属铝连接技术intel转让，跟东芝关系，东芝做，老师，华芯科技技术员教该怎使。
两公司拍即合，顺利达向。
果简单，华芯科技五百万元，花点冤枉，套铝金属连接技术，花间，解决。
王岸办公室，东芝技术代表桥本龟太郎，鞠躬鞠王岸头晕。
“岸君，贵方求，与东芝公司立合研究机构，致力半导体芯片加工，金属铜物理气相沉积pdv研究，已经公司审批，东芝公司非常愿跟华芯公司展更深入合。”
王岸站身，跟桥本龟太郎热握握。
项合花华芯科技三十四条专利授权，加1000万金技术服务费才达。
价值民币亿，贵贵点，王岸认价值，已经足够。
与此，浸入式光刻与双工台研究始进入程，让王岸苦恼，找合适技术带头，直法推进。
另项与浸入式光刻齐名finfet产工艺，王岸觉。
fin field_effect transistor 鳍式场效应晶体管，相比与mos晶体管言，款新型晶体管模式。
由华科胡正明教授提，并建立系统数模型。
特点工艺变况，相积内塞进更晶体管，且漏电量功耗步幅度降低。
finfet技术9102已经相熟，本intel2011次推，22纳米制造工艺三代酷睿处理器，随部分半导体厂始加入finfet工艺阵营。
技术难度比普通mos提高，工艺增加几十光刻、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积程。
华芯科技言，技术难点材料物理气相沉积pdv技术，及堆叠薄膜镀层保护蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术及双工台技术难度言，finfet技术犹业题，技术条件完。
加准双重像技术sadp，旦攻克，王岸信调整硬件基础，实800纳米制造工艺突破，并将芯片集度达320纳米制造工艺程度。
研究课题确认，需理论方支持，基finfet工艺bsim数模型实指导义。
9102，果芯片底层硬件逻辑电路工程师，bsim解，肯定混。
bsim逻辑电路设计模型基finfet工艺替代，王岸陌，甚至清晰记数模型每参数设置。
堂皇拿，方便处。
此王岸专门立finfet专研究实验室，召集包括季青、胡效、刘赫内帮华芯科技基干力量。
“很清楚，制造工艺，比际主流制造工艺落两三代，比外新尖端研究，知落少代。
今召集，展项finfet工艺，很豪告诉，方，走全世界列。”
王岸话功煽热，，fin并陌，关场鳍效应论文际并新鲜。
项新理论模型，进实际应研究，件令振奋。
王岸正埋头进finfet工艺模型架构创建，则消息打破平静。
“王，德州仪器ceo安德森已经抵达燕京，希望合宜，尽快与进。”
合！拿技术合啊，华芯科技肯定比象更诚。
王岸点点头，张磊：“联系技术部，雷，明午九点，次讨论，该点什？”