二楼书房。
方鸿文档分别建立半导体材料半导体设备两分类，再进步进细分，应投产业并做资本支分配比例。
半导体材料主包括“晶圆制造材料”“封装材料”两类别。
其晶圆制造材料分：硅片、掩膜版、光刻胶、抛光材料、特气体、靶材等。
各材料应具体。
硅晶环节主硅片；清洗环节高纯度特气体或者试剂；沉积环节靶材；涂胶环节光刻胶；曝光环节掩膜版；显影刻蚀环节高纯度试剂；薄膜长环节驱体靶材；抛光环节抛光液抛光垫。
封装材料包括：封装基板、引线框架、键合丝、塑封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料其它封装材料。
其贴片环节封装基板引线框架；引线键合环节键合丝；模塑环节硅微粉塑封料；电镀环节硅片、气体掩膜版等。
，每环节每材料应企业，公司掌握环节、材料研与产。
方鸿建立文档始逐编辑细化，弄，候交给华煜，让照档桉规划内容执。
众半导体材料，其主才七类关键材料，分别：硅片、特气体、光掩模、湿电试剂、抛光材料、光刻胶、溅射靶材。
具体。
硅片：
硅材料其实广泛取，平沙石二氧化硅经纯化制98%纯度硅，高纯度硅则需进步提纯变9n或者11n，99.999999999%，数点99或者119级别纯度超纯材料。
需超纯晶硅放1400度石英坩埚融化，并其掺杂硼或者磷元素改变其导电特性，再经单晶长制备特定单晶，经切片等系列研磨抛光、外延、键合等流程工艺，半导体硅片材料差做。
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特气体：
电特气集电路平板显示器件、太阳电池、光纤光缆业或缺基础性材料，根据电特气参与工艺环节细分六类：化气相沉积、离注入、光刻胶印刷、扩散、刻蚀、掺杂。
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光掩模：
其主由透光基板，树脂或玻璃及透光遮光膜，光掩模制造程，它直接材料本占67%，基板占直接材料90%，整基板占其本60%左右，其它辅助材料占比。
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湿电试剂：
即高纯度试剂，根据途湿电化品分超净高纯试剂，及其光刻胶配套试剂代表功性化品。
湿电化品各流程主应清洗、光刻、刻蚀，光刻工序主应硅片处理云胶、显影、剥离环节，晶圆加工主应高纯度抛光清洗，其硫酸、双氧水、氨水、显影液等。
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抛光材料：
通化腐蚀或者机械研磨两方式晶圆表进平坦化工艺称。它技术难点需制0.35微米。
诸机械抛光半导体加工端制应，浅沟槽隔离、层间介质抛光、金属内介质抛光等。
抛光系统组包括：抛光设备、抛光液、抛光垫等。其像抛光垫由疏松孔材料制，般聚亚胺酯类，定弹性够吸收定抛光液，抛光液由磨料PH值调节剂、氧化剂、分散剂、表活性剂混合。
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光刻胶：
由溶剂、树脂、光引剂单体与其它助剂构，光刻胶应理解物体喷漆使胶带性质，光刻胶微米级乃至纳米级工艺。
光刻胶制程工艺内部规模集电路制造程，光刻刻蚀技术重工艺，且因尺度，制程重复十次光刻、刻蚀、烘焙、涂胶等系列工艺程，通系列程电路印至硅片，让光刻胶应变非常重。
随半导体制程断提升，微米级纳米级演进，光刻胶波长紫外宽谱延伸G线(436nm)、I线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)EUV(13.5nm)制程。
相应光刻胶分变化，因像曝光波长越短光刻胶技术水平求越高，其适应集电路制程越先进，光刻波长应光刻胶分。
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溅射靶材：
溅射程，高速离束轰击目标材料，轰击靶材，金属离剥离沉积硅片程，沉积电薄膜原材料。
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方鸿编辑材料内容，览半导体材料，投钱搞啊！
儿基金立，2014。
方鸿显浪费四，半导体业典型特征更新升级快，因摩尔定律约每隔18月，代产品性提升本，本降半。
内啥追？
因容易追，结果淘汰技术，命，命淘汰技术达，扶持补贴，企业搞，砸进钱根本收回，百分百血本归，干。
貔貅，砸钱进。
方鸿决定搞半导体，超级吞金兽做长期金融输血支持理准备，五乃至十赚钱谓，办法，补课代价必须交付费。
旦完全产业链，投入本连本带利收回，需十仅内芯片进口规模需求知。
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买芯片花钱比全进口石油钱。
方鸿休息片刻，马文档建立类——EDA软件。
EDA电设计化简称，它主应芯片设计制造领域，计算机工具，采硬件描述语言表达方式数据库计算数、图论、图形及拓扑逻辑优化理论进科效融合，辅助完超规模集电路芯片设计、制造、封装、测试等整流程计算机软件统称。
EDA主设计制造领域应比较，随芯片制程工艺越越复杂，EDA软件应变越越重，它够极程度提高芯片设计效率。
其实EDA软件本身市场规模并，目全球市场规模三四十亿元，比半导体产业规模零头算。
EDA软件半导体领域重性真它玩转程度，原因果设计款芯片，假设采EDA软件结果导致本幅提升。
比，设计款消费级处理芯片，采先进EDA软件设计，本概4000万元左右，果采EDA软件，本将高达77亿元。
4000万元77亿元！
EDA软件加入，它技术迭代，足让整设计效率提升接近200倍。
由此见，果EDA软件，任何新芯片本，尤其消费级芯片，根本法承受。
EDA软件重性或缺性，它市场规模，它玩转，见EDA软件整芯片制造提纲挈领。
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