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八章 浸式光刻系统遇难题

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800nm制程工艺专利技术GCA鸡肋,BSEC神助,掌握跨越1um制程工艺,掌握800nm制程工艺技术。

193nmArFi准分激光器制造技术800nm制程工艺专利技术,BSEC主知识产权1um制程工艺光刻机。

政府卡脖,未雨绸缪,BSEC掌握产光刻机技术:光源系统、光系统台系统,断升级换代。

叮嘱邓辉,BSEC光刻机光源研究研究清楚GmArF准分激光器原理制造技术,光刻机光源公司产;叮嘱陈伟长,BSEC光刻机光研究研制功6英寸晶圆1um制程工艺镜头反射镜头,光刻机光公司产。

孙健承诺,BSEC2产具主知识产权6英寸晶圆1um制程工艺光刻机,淘宝控股公司掏钱奖励项目组200万元;4条具主知识产权6英寸晶圆1um制程工艺半导体产线,淘宝控股公司持BSEC股份,拿200万股奖励给做贡献科技员,规定间内,完任务,始裁员!

奖励裁员双管齐,管理层、技术普通员工压力剧增。

辉拿ArF准分激光器专利技术,钱富强仔细研究醍醐灌顶,豁朗,申请2000万元经费,带领光刻机光源研究按照GCA提供技术图纸,消化吸收ArF准分激光器专利技术……

19952月,经攻关,光刻机光源公司台6英寸晶圆1um制程工艺光刻机。

19959月,BSEC主知识产权6英寸晶圆1um制程工艺半导体产线,填补内技术空白,打内市场,终抛掉三巨亏利局,1995度实净利润11600万元。

19964月20,BSEC拿新股额度,6月11鹏城证券交易15000万股新股(其1000万股职工股),每股价6元,融资8.73亿元(扣除),其8亿元8英寸晶圆500nm制程工艺光刻机,0.73亿元补充公司流资金。

BSEC研制6英寸晶圆800nm制程工艺光刻机已经临近尾声。

“邓院长,研究院继续研8英寸晶圆500nm工艺光刻机。”

,董长!”

“魏,公司争取早条具主知识产权6英寸晶圆800nm制程工艺半导体产线,,PGCA率先订购条。”

,董长!”

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“董长,经近2联合攻关,研究证实,水等段,保持水洁净度温度,使其气泡,曝光介质,虽光源波长193nm,折射,使进入光阻波长明显缩,使式技术突破193nm波长今遇难题制造镜头满足突破193nm波长光刻光器件技术求。”

式光刻技术联合攻关组组长陈伟长院士给孙健汇报浸式光刻技术新进展,经理魏建、院长邓辉院士、副院长欧阳民院士、联合攻关组副组长夏季常院士光源研究长钱富强研究员场。

1994,钟德伟教授夏季常教授凭借研究功全球独光刻机悬浮式双工台系统技术项目果,晋升工程院院士。

1995,陈伟长研究员凭借研究功1um制程工艺系统技术项目果,欧阳民研究院凭借研制功6英寸晶圆技术项目果,批晋升工程院院士。

,钱富强副研究员主制造ArF准分激光器贡献,晋升研究员,担任光刻机光源研究长。

辉院士再兼任光刻机光源研究长,集精力主持光刻机半导体研究院整体研究工

式光刻技术BSEC属严格保密研究项目,属研项目号,由光刻机光研究、光刻机光源研究光刻机化研究相关研究高级技师组,联合攻关组由陈伟长院士夏季常院士领衔,参与者BSEC签订保密协定。

“陈副院长,据知,虽蔡氏公司专门GCAASML研Starlith 900,世界批量 193nm波长光刻光器件,100nm分辨率系统,式光镜头与众,蔡司公司、尼康公司公司始研制,研制产,急,步步零部件装等方夯实基础,联合攻关组需购买机器设备材料,直接向魏申报,陈副院长高端专业才,交给部组织招聘引进。”

控股GCA,ASML、蔡司耶拿公司、CarlZeiss AG股东,资格间知公司新科技果,初刚刚Starlith 900瓦森纳协定口管制产品技术目录内。

EUV光刻机左右研制,孙健,打牢基础,即使BSEC三内研制功全球台浸式光刻机,打算雪藏,等193nm波长遇突破65nm制程工艺世界性难题,再将项突破性专利技术推鸣惊

挑战世界高新技术领导者引领者位!

教训太深刻

ATIC参股MEMC,8英寸晶圆,孙健叮嘱兼任硅片制造研究欧阳民院士,研究产8英寸晶圆,硅片新源产业量。

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BSEC光刻机半导体研究院光刻机光源研究、光刻机光研究、硅片制造研究、光刻机化研究、刻蚀机研究、光刻机热处理研究、掩膜版研究、离注入机研究光刻机半导体信息部,除夏季常院士领导光刻机化研究全球光刻机业首位外,其进全球十名,任重远,需持续投入巨资,全球范围内招聘顶尖才,光刻机半导体,任何公司副产品推向市场,三位。

,董长!”

陈伟长舒口气,肩压力

者其书:神器新三终结者
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