八五，机电部（今工Y部）45研制功分步光刻机机，K院沪海光精密机械研究研制“扫描式投影光刻机“通鉴定，采436纳米G线光源，制程工艺达1.5um，认均达GCA产4800DSW水平，内规模集电路专设备填补项空白，内台分步投影式光刻机，期，分步光刻机与外差距超七。
八十代，内始规模引进外资，市场换技术，空间换间，贸工技路线挤压主技术长空间，许G企纷纷转型，技术马、项目停滞、“造买，买租”思占据主流，其包括光刻机项目。
内少打高科技旗号公司沉迷“贸易”“加工”带“快钱”拔。
虽集电路研产重点扶持科研项目，G企合资晶圆公司纷纷进口3英寸、4英寸晶圆及3μm、2μm制程工艺半导体产线，产光刻机缺乏市场竞争优势，几半导体设备厂全部处亏损状态，研资金持续投入，光刻机研产停滞。
光刻机经历三十快速展，根据光刻机光源划分，六十代代g-line（436nm）光源、二代i-line(365nm)光源接触式光刻机、接近式光刻机，七十代三代KrF（248nm）光源步进式投影式光刻机，八十代四代ArF(193nm)光源步进式扫描光刻机，设备性断提高，推集电路按照摩尔定律快速展。
BSEC三研究光刻机光源KrF（248nm），与尼康、GCA、佳等主流光刻机产公司采ArF（193nm），差整整代……
，通曙光投资公司、香江曙光投资公司、曙光投资公司、沪海曙光东芝晶圆公司、蔡司曙光光仪器公司、沪海智半导体研究院沪海曙光通讯技术研究院，早谋划重者收集阅读内外批关光刻机等半导体技术书籍信息，阅读七十代内版《光刻掩膜板制造》《光致抗蚀剂制造》等专业书籍，写二本读书笔记感悟，加世知识积累，专业术语脱口，光刻机市场方“专”。
K院微电研究副长邓辉因九主持研功内台KrF准分激光器，被遴选部委员，因各方原因，ArF准分激光器研今立项。
K院沪海光精密机械研究、工Y部45沪海光精密机械厂共研内先进248nm扫描投影式光刻机，制程工艺1.5μm。
Nikon半导体设备公司今批量产8英寸晶圆500nm制程工艺光刻机，正研制8英寸晶圆350nm制程工艺光刻机；其外主流光刻机公司批量产6英寸晶圆800nm制程工艺光刻机，正研制8英寸晶圆500nm制程工艺光刻机。
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BSEC4英寸晶圆8英寸晶圆，需攻克5英寸、6英寸8英寸晶圆三技术关口，制程工艺1.5μm500nm，间1μm、800nm500nm三关卡，赶世界先进水平，任重远！
芯片制程工艺般0.7倍速度减，单位积芯片晶体管数量2倍速度增加。
世千禧，光刻机被列入863重科技攻关计划，将工Y部原45分步投影光刻机研团队整体迁至沪海，与K院沪海光精密研究沪海光精密机械厂合并，组建沪海微电装配公司，承担产光刻机“十五”攻关项目。
光刻机原理其实像幻灯机简单，光通带电路图掩膜投影涂光刻胶晶圆。
光刻机包括曝光系统（照明系统投影物镜系统）、工台掩膜版系统、准系统整机软件系统等。
主部件包括光源、光系统（镜头）工台（托盘底座）。
光源基本配置，需提供某波段光量，且极端稳定。
通各镜头光控制几平方厘米长方形内，叫field。
镜头光刻机核部件，主玻璃钢，1x镜头直径米左右，重、二吨，4x很重很，型镜头光系统今尼康、蔡司公司佳公司产。
本德公司光刻机光系统、光刻胶掩膜版技术领先世界。
GCA缺点因蔡司公司提供光系统跟光刻机业飞速展，导致GCA每次光系统更新比尼康公司慢半拍，制程工艺比尼康慢代，高端光刻机市场被步步领先尼康公司打败。
工台托盘，线性马达控制平台移。
正常途径光源通反光镜镜头组，集光再反投掩膜板。
掩膜板电路图反刻，实验室刻，光透掩膜板透明部分投放硅片，曝光几十毫秒，通化反应弄硅片电路图。
掩膜板主玻璃片，刻预电路，放机器曝光，刻硅片效果。
光刻机光源六十代初八十代期，汞灯已光刻，其波长分别436nm（g线）、405nm（h线）365nm（i线）。
随半导体业更高分辨率（集度更高速度更快芯片）更高产量（更低本）需求，基汞灯光源光刻工具已再够满足半导体业界高端求，KrF（248 nm）ArF（193 nm）准分激光器应运，镜头、掩膜版光刻胶求更高。
随芯片制程工艺提升，光刻机半导体业展关键设备。
虽受《半导体协议》影响，本半导体今失市场，代表世界光刻机高水平尼康光刻机断进步，II、AMD HP等半导体设备公司派业务代表，长期住尼康半导体设备公司，翘首盼先进光刻机厂。
今，尼康光刻机占据光刻机市场40%，垄断高端光刻机市场，佳光刻机占20%，SVG、GCAUltrataL、P＆E、Eaton立等光刻机公司，每占据市场份额5%。
本光刻机设备公司光刻机市场独占鳌头！
光刻机公司每况愈。
重者知，世光刻机高端市场被秀ASML垄断！
赢者通吃！
由ASML效益佳，亏损，九月，飞利浦半导体公司将其持30%ASML股份，2000万元价格转让给曙光投资公司，让曙光投资公司控股。