光刻机晶圆产线核产设备，展历程经数代更迭。
果规模商业性应标准线，体，六十代接触式光刻机、接近式光刻机代，七十代光刻机设备主流更新投影式光刻机，八十代更新步进式光刻机，九十代更新步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机其。
二十世纪，益华科林本坚博士光刻胶方加水创，忽获绝招asml侵入式光刻机举系光刻机厂商云端打入尘埃，几间垄断全球70%光刻机市场。
由光本质波缘故，微观物理世界波长越短光精度越高，换句话光波长越短，晶圆刻线越细。
早期摩尔定律预言集电路密度每翻倍，直1975摩尔定律才改未尽知每十八月。
根据瑞利公式：cd=k1*(λ/na)，其cd代表曝光尺寸或者叫做光刻尺寸，比5.0微米、3.0微米什，甚至直接代指晶圆产线技术标准，k1代表干扰降低光刻尺寸综合因素，比光刻胶，比车间环境供电电压等等。
na代表镜头数值孔径玩术描述比较复杂，简单na值越透光越分辨率越高。
λ玩经义务九知，代表光波长，公式波长越低光刻机精度越高。
因此实摩尔定律提减k1、λ数值，搞na数值。
相比磨镜头比较坑爹见效很慢耐活，缩短光波长提升光刻机精度直接优先段。
早期光刻机土鳖很，基本电影摄像机改造，曝光光源比较奇葩光谱红外端近紫外段啥，
随摩尔定律效，光源迅速红外端向紫外端移，镜头迅速超越电影镜头求精度，越越专业加工越越难。
间八十代，光刻机主流光源始使高压汞灯，其波长365nm产业界管玩叫～ i-line。
九十代初期，光刻机精度进入1.0微米，高压汞灯提供356nm波长显很，因此krf 激光器光刻机主流光源，其产248 nm波长光源足够晶圆产线线宽推进纳米代。
九十代期，随晶圆产线线宽进步降低，193nm波长 duv 激光始崭露头角，duv激光著名arf准分激光，包括治疗近视眼术内跨业工程应使激光，相关激光器光镜片等技术比较熟。
电产业庆幸193nm光源由应范围极广导致研本降低愉悦压根享受几，光刻光源缩短旅直接被卡193nm法进步。
九十代期始，直梁远偷渡，光刻机光源直维持193nm已经接近二十，直某偷渡位刻，全球主流机、电脑、平板、超级计算机、显卡、路由器主芯片仍旧193nm光源光刻，193nm光源类信息代超高速展块顽固变基石。
1975摩尔定律或者叫做摩尔预言熟，全球半导体产业沿摩尔博士给条科技路路狂奔二十，直二十世纪末期才撞法突破铁壁～～193nm，光刻机光源波长卡足二十，英特世纪交被吐槽牙膏厂光刻机技术停步消费领域产线反应已。
九十代期始，科电产业界提各超越 193nm 方案，其包括 157nm激光，电束投射(epl)，离投射(ipl)、euv(13.5nm) x 光，几展世纪交形几技术阵营。
157nm f2：每型光刻公司研究，唯独东洋尼康推达商标准产品。
157nm 光被主流193nm机器镜片吸收，光刻胶重新研制，产线改造难度极，几乎另炉灶重新再，157nm光源 193nm波长进步 25%，研投入产比实太低。
知东洋幸幸，益其民性工匠精神死磕波长缩短尼康属实伟，解决困扰世界十光源波长问题。
惜，彼华科林本坚博士光刻胶加水创已经193光源波长通折射直接变137nm未更193光源线宽直接推进十纳米，直接尼康投入巨资研技术毫悬念送回老。
件绝载入类电产业展史，林本坚博士力直接击沉东洋电产业，知尼康研157nm光源绝光源问题，其配套镜头、光刻胶、化制剂、车间电路等等几乎全新，差等整晶圆产线或者电产业基础全换遍。
益东洋强电配套产业实力，围绕157nm光源，东洋系电产业链参与进数公司，结果被打折脊梁，梁远偷渡，东洋广场协议，东洋经济失落长达二十久，林本坚博士绝功。
除憋屈死掉157光源外，13.5nm euv llc梁远偷渡类技术限投入规模商业应光源，阵营包括英特尔、amd、摩托罗拉、源部、asml、英飞凌、micron等。
1nm接近式 x 光：阵营包括aset、mitsubishi，、nec、toshiba，、ntt、ibm、摩托罗拉，被林本坚博士击沉阵营，由实验室向比产业界沿缘故，阵营始八十末期，采接近式曝光方式产，原计划157光源补技术登场，新世纪虽尼康般倒霉刚产品熟，两各方向投入数十亿元巨资，未问世已经凉凉知幸幸。
0.004nm ebdw 或 epl:朗讯～贝尔实验室、ibm、佳、尼康，asml被邀请加入率先退，阵营名叫做电束直写技术，光刻技术阵营吊浪漫，光刻技术物理极限，更方伟林主。
尼康被asml击败，曾押宝电束直写技术拼死搏，惜玩研难度堪称电业控核聚变，直梁远偷渡刻听入坑十尼康搞什新闻。
般，科技沿主基础科技研，基础科技往往领先产业应十几甚至百间，比爱因斯坦质方程相论，产业沿则定向实验室各类企业研究主，实验室技术基本未工业界主流技术，往往领先工业界技术五至十，比诺基亚实验室2000曾经实验室搞苹果机类似电终端，惜被诺基亚高管枪毙掉。
，九十代初，电产业研各公司沿实验室，已经觉193nm波长，光源展忽陷入极困境，材料完全支持更短波长光源批量应，继续缩短波长寄托新材料或者死磕收益率高153nm波长光源，更新电产业部分设备。
由芯片产业属高技术业缘故，沿产线联系十分紧密，实验室研困境很快传导产业界，结果虽193nm光源未普及，未阵营已经隐隐迹象。
港基集电共唯摸产业沿尾巴微电集团，内部未技术路线争执断，站队193nm决定眼，站队153nm，相比193nm提升25%提升，相比极紫外光反射式euv光刻，153nm设备研难度真缩数量级，弯超车方案。
部分胆性激进研员直接站队euv，激进电束直写技术未突破193nm光源佳选择。
未互联网代句流传很广实话，吊丝才做选择题，土豪全，港基集电全球电产业吊丝，哪精力四阵营全部投入研经费，坚守住阵营被落太远已经谢谢。
经费限，认若隐若193nm门槛，方向才正确，梁远干预况港基集电内部已经吵团，电束直写方案被港基集电高层枪毙掉方案。
电束直写技术由电束特性缘故，精度领先曝光技术四、五世代，晶圆产线主流技术1.0微米代，电束直写技术制程线宽直接推进0.13微米。
牛x技术啥被港基集电高管间毙掉？
般，九十代初期，主流技术光刻机每加工晶圆数量约150至200片间，电束直写技术加工晶圆数量约每三至五片，坑爹随未芯片复杂程度快速提高，港基集电预估电束直写技术加工力恐怖每三至五片晶圆降每加工三至五枚芯片程度。
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