，直话夏培肃口：“庞，思，星环科技未展方向全新互联网终端，并且依靠终端，支撑全新系统指令集架构体系，并且形态闭环？”
庞林笑点点头，：“错，思。”
夏培肃皱眉：“果话，段间内，海思半导体投入，产，撑久？”
庞林微微笑，：“难，华威接准备进军移通信运营商业务，很芯片需外采购，海思半导体承接部分芯片比DSP芯片，ASIC芯片，FPGA芯片等等研工。另外，消费者业务领域，准备做快闪储存器及二代步态随机存取内存。”
“快闪储存？二代步态随机存取内存？”
夏培肃倪光南视眼，均吃惊。
快闪储存，指闪存。
代，两项技术尚未完全熟。
1984，东芝公司舛冈富士雄首先提快速闪存存储器概念。
与传统电脑内存，闪存特点非易失性，其记录速度非常快。
英特尔世界产闪存并将其投放市场公司。
1988，英特尔公司推款256K bit闪存芯片。
它鞋盒，并被内嵌录音机。
，英特尔明类闪存被统称NOR闪存。它结合EPROM（擦除编程读存储器）EEPROM（电擦除编程读存储器）两项技术，并拥SRAM接口。
EPROM指其内容通特殊段擦，重新写入。
其基本单元电路（存储细胞），常采浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称FAMOS。
它与MOS电路相似，N型基片长两高浓度P型区，通欧姆接触分别引源极S漏极D。
源极漏极间晶硅栅极浮空SiO2绝缘层，与四周直接电气联接。
电路浮空栅极否带电表示存1或者0，浮空栅极带电（譬负电荷），其，源极漏极间感应正导电沟，使MOS管导通，即表示存入0。
若浮空栅极带电，则形导电沟，MOS管导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路工原理与EPROM相似，它EPROM基本单元电路浮空栅再浮空栅，者称级浮空栅，者称二级浮空栅。
给二级浮空栅引电极，使二级浮空栅极接某电压VG。
若VG正电压，浮空栅极与漏极间产隧效应，使电注入浮空栅极，即编程写入。
若使VG负电压，强使级浮空栅极电散失，即擦除。擦除重新写入。
闪存基本单元电路，与EEPROM类似，由双层浮空栅MOS管组。
层栅介质很薄，隧氧化层。
写入方法与EEPROM相，二级浮空栅加正电压，使电进入级浮空栅。
读方法与EPROM相。擦除方法源极加正电压利级浮空栅与源极间隧效应，注入至浮空栅负电荷吸引源极。
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由利源极加正电压擦除，因此各单元源极联，，快擦存储器按字节擦除，全片或分块擦除。
相比NOR闪存。
二闪存称NAND闪存。
它由立公司1989研制，并被认NOR闪存理替代者。
NAND闪存写周期比NOR闪存短90%，它保存与删除处理速度相较快。
NAND存储单元NOR半，更存储空间NAND获更性。
NOR型与NAND型闪存区别很。
打比方，NOR型闪存更像内存，独立址线数据线，价格比较贵，容量比较。
NAND型更像硬盘，址线数据线共I/O线，类似硬盘信息通条硬盘线传送般，且NAND型与NOR型闪存相比，本低，容量。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写场合，通常存储程序代码并直接闪存内运，机使NOR型闪存户，机“内存”容量通常；NAND型闪存主存储资料，闪存盘、数码存储卡NAND型闪存。
夏培肃皱眉：“庞，印象，闪存市场并吧，应范围很窄，且技术主掌握三星、立、英特尔等厂，搞赚钱吗？”
庞林笑，：“夏院士，您放，闪存市场恐怕比像很！东西涉及商业机密，暂办法向您透露，敢保证，单单闪存，足让海思半导体吃盆满钵满。
夏培肃倪光南视眼，庞林信吃惊。
庞林却两位佬法，完全担闪存问题。
世机内存，单单四将U盘，足支撑海思半导体展。
世界计算机产业展历程，存储设备直计算机展关键，早计算机存储设备，卡纸，换磁带，往终存储设备软盘，比较常见3.5英寸软盘，俗称A盘，再往终光盘，论光盘相长间范围内常见存储设备。
，光盘次性使特点让诟病已。
终1998，U盘，U盘由其容量较，反复使，随插拔，让其受欢迎移存储设备，直二十世纪二三十代全世界受欢迎移数据传输方式。
U盘早源朗科科技，项果被视计算机存储领域二十唯属原创性明专利果。
，朗科拥“U盘”专利，拥USB闪存或者USB存储器专利。
正因此，实世界，朗科虽通专利官司，每获几千万营收，并展。
直庞林进入太阳世界，朗科依旧靠打专利官司租房赚钱，科技公司言，完全侮辱。
庞林打算将U盘专利留给未朗科。
几月，庞林已经通斯高柏公司提USB专利申请。
USB接口外围设备与计算机主机相连常见接口。
除USB接口外，并线等接口等。
USB接口却极优点使它领域非常普及，具接口设备电脑即插即(即插即叫热插拨)。
电脑机候先外围设备再主机电源，关机候顺序恰相反。
遵循机顺序，因电脑启必须先让外围设备电源打做准备，等待主机设备逐进检查并安装相应软件。
电脑才正常运，否则将外围设备或者电脑识别外围设备况。
USB接口却改变状况，果某设备USB接口，它随插入电脑主机管电脑此处什状态，果取走设备，需按照规范操便将设备安全电脑移走。疑给习活提供极便利。
历史，USB技术由英特尔首席系统技师巴特明，英特尔终决定免费放项技术，并且与微软、康柏等公司合，将其确定计算机通标准接口。
庞林申请USB专利，决定将其免费放，并且通唐·瓦伦丁关系，游康柏、微软、英特尔等企业接受统标准接口。
目反馈很，外话，明始，绝数电脑厂商产电脑，将USB接口。
铺垫，未庞林再退U盘话，任何企业够技术角度绕拥专利。
届海思半导体存储芯片领域，完全凭借U盘功，获良回报，并且形研-产-销售间良性循环。
，话庞林夏培肃及倪光南明。
夏培肃见庞林脸信模，张张嘴，终什。
研领域，夏培肃信胜眼轻。
做方，夏培肃庞林任何言权。
君见甚至连RM报，已经公宣称庞林轻辈企业领袖？
庞林星环CVD营销程操，甚至连夏培肃沉湎术领域，耳闻。
由此见庞林内热度。
，倪光南：“庞，二代步态随机存取内存，指什？”
步态随机存取内存，指SDRAM。
步接口态随机存取内存（DRAM）。
通常DRAM异步接口，它随响应控制输入变化。
SDRAM步接口，响应控制输入等待钟信号，计算机系统线步。钟被驱限状态机，进入指令进管线操。
使SDRAM与步接口异步DRAM相比，更复杂操模式。
管线味芯片处理完指令，接受新指令。写入管线，写入命令另指令执完立刻执，需等待数据写入存储队列间。读取流水线，需数据读取指令固定数量钟频率达，等待程其它附加指令。延迟被称等待间，计算机购买内存很重参数。
SDRAM计算机被广泛使，初SDRAM代DDR，DDR2DDR3进入众市场，2015始DDR4进入消费市场。
庞林做，DDR内存。
DDR内存正式名字DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM），顾名思义双倍速率SDRAM，名字知它SDR SDRAM升级版，DDR SDRAM钟周期升沿与降沿各传输次信号，使它数据传输速度SDR SDRAM两倍，且做增加功耗，至定址与控制信号与SDR SDRAM相，仅升沿传输，内存控制器兼容性与性做折。
DDR SDRAM采184pinDIMM插槽，防呆缺口SDR SDRAM两变，常见工电压2.5V，初代DDR内存频率200MHz，随慢慢诞DDR-266、DDR-333代主流DDR-400，至运500MHz、600MHz、700MHz算超频条，DDR内存刚候单通，支持双通芯片组，让内存带宽直接翻倍，两根DDR-400内存组双通话基本满足FSB 800MHz奔腾4处理器，容量则128MB1GB。
DDR内存RDRAM战争取完全胜利，相主板厂选择推支持DDR内存芯片组，主板市场相热闹，并Intel与AMD两单挑，NVIDIA、VIA、SiS、ALI、ATI等厂，DDR内存CPU相，Socket 370奔腾3与赛扬，Socket 478与LGA 775奔腾4、奔腾D、赛扬4、赛扬D，酷睿2其实插部分865主板DDR内存，AMD话Socket A接口K7与Socket 939、Socket 754K8架构产品DDR内存。