庞林物医研究待将近午间，根据石毅、杨平、安德鲁·怀特给态APT各项参数，提许修改见。
化危机世界基本态APT技术，设备性各方参数指掌，因此给各益见足奇。
石毅、杨平、安德鲁·怀特，庞林名声外，再加庞林经常接触，伙身什奇迹，觉奇怪。
，态APT技术，三报厚望。
冷冻电镜技术获诺贝尔化奖，比冷冻电镜技术更具实义态APT技术，疑获。
且庞林已经获次诺贝尔化奖，三，正瓜分期诺奖。
庞林物医研究待午间，解APT设备研况，二，徐兴领导碳基芯片研。
目全球半导体材料展已经接近物理极限，集电路代工领域强台积电，已经完3纳米工艺商业化量产，2纳米工艺接近研完。
强半导体制造商芯际，依旧卡7纳米工艺制程，与台积电依旧两代差距。
贸易战候，曾经华全技术封锁，号称任何使技术企业，许华合。
直锂空气电池横空世，凭借锂空气电池巨优势，才算解除西方技术封锁，华临危机迎刃解。
即便此，涉及集电路高端制造领域，与西方依旧差距。
别，单单阿斯麦公司极紫外光刻机（EUV），汇聚西方顶尖制造技术，堪称类史精密工业品。
与航空机，工业制造皇冠颗明珠。
硅基集电路代，西方巨先优势，很难领域与西方展竞争。
点，连庞林什办法。
让理论突破，让快速提升内工业制造水平，庞林筹莫展。
硅基芯片制程差距，让很难短间内追西方达。
硅基领域办法弯超车，并味另辟蹊径办法。
碳纳米管被科给予厚望。
与其本身特性息息相关。
首先，碳纳米管芯片身量虽，节增效力却更强。
碳纳米管由单层碳原卷管状碳材料，导电性极，且，碳元素球储量十分丰富。
碳纳米管直径根据工艺制几纳米几十纳米长；管壁厚度更，根据壁层碳原数量，碳纳米管分单壁碳纳米管壁碳纳米管；集度况，碳纳米管芯片比硅元器件体积更。
，碳纳米管韧性极高，承受弯曲、拉伸等应力，电信号传输程延迟很短，，材料物理属性，碳纳米管具替代硅芯片潜力。
其次，碳材料具素异形体，除碳纳米管外，熟知金刚石、石墨、富勒烯、活性炭等等。
其导电性质强烈依赖结构，由绝缘体转变半导体、由半导体变导体。
且，它导电方式原理与传统晶体管，更强传导力。
另外，晶体管导电程避免产漏电流，漏电导致热，碳纳米管避免问题，故效相较高。
理论讲，碳纳米管芯片量利率望超芯片效比（60%至70%）。
热问题解决给芯片散热降低压力。
硅晶体管功耗很，芯片空间内，热极其严重，使芯片热法工，需分配部分功耗芯片散热，使硅晶体管功耗增。
碳纳米管芯片本身产热少，加碳纳米管本身热导率很高，效减少散热耗，碳纳米管效远远高硅材料晶体管。
世界范围内，早实碳纳米管器件制备IBM，其2014功制备碳纳米管20nm栅长器件，，该器件性比预期差很。
近，外各类实验室号称制备1nm栅长碳纳米管器件，更噱头，实际使性很差。
碳纳米管器件研究，庞林完超高纯度电级碳纳米管量产制备，徐兴带领团队始高性碳纳米管（CMOS互补金属氧化物半导体）晶体管掺杂制备、晶体管极性控制方进深入研究，并且很技术积累。
其该团队制备栅长10纳米碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（应5纳米技术节点）已经功攻克器件结构制备工艺等相关难题。
仅此，其制备碳纳米管器件性远远超际已报碳纳米管器件。
常规结构制备碳管晶体管，其栅长5纳米较明显受短沟效应隧穿漏电流影响，往融合高介电栅介质薄膜做法很难效解决漏电问题，使器件效关断。
徐兴团队改石墨烯替代金属碳管晶体管源漏接触，效抑制短沟效应源漏直接隧穿。
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且，由5纳米栅长碳管器件关转换仅1左右电参与，使门延（42飞秒）接近二进制电关器件物理极限（40飞秒，由海森堡测准原理香农—冯诺依曼—郎尔定律决定）。
首次掌握世界先进晶体管技术，且整体技术熟极高，随碳纳米管本降及工艺良品率提高，该技术望先进芯片制造技术。
新技术掌握，相先进硅基技术六代优势（领先20），使际芯片巨头优势将复存，内半导体制造产业将远未实弯超车。
实庞林徐兴实验室，见华及芯际工程师。
按照徐兴法，代碳基芯片将未内实量产，首先应华5G基站产品。
至消费端碳基芯片，估计再两间，才机、PC等领域规模应。