黄修远鲁省，边通内部电邮件，参与部部分科研工。
科研部陆东，至少很需操。
公司运，林百杰、黄伟常盯，其实工，主决策。
陆东科研简报。
摩挲微微冒胡茬，写建议，及相关研方向。
目言，燧公司科技树，分几核，即边氧化硅族纳米材料合技术、六锥球氧衍回收技术、氮16分机高分分解技术、硅9分衍硅纳米技术。
其边氧化硅，核核。
各纳米线规模产，进促进纳米线半导体技术展，果求芯片精度级别，达20纳米左右，燧公司很快拿芯片产线。
目纳米线纺织机精度，虽达20纳米附近，问题产速度太感。
退求其次40纳米级别，已经实工业化产，黄修远产，因级别芯片，足英特尔、三星、台积电抗。
知达芯片工艺，200640纳米，明将提升32纳米，2011商业化鳍型晶体管推，2012推22纳米工艺，2014研14纳米工艺，2016进入10纳米阶段。
黄修远研进度表，目20纳米级别纳米线纺织机，纺织100亿晶体管，需138～167左右。
加工间太久，必须将速度提升100亿晶体管，50内完，才初步实规模量产。
黄修远已经达指示，规模利40纳米工艺，尝试设计简单芯片，例电控芯片、温控芯片类，功单工业配件芯片，40纳米工艺产，什问题。
毕竟阶段外高端CPU、GPU类，40纳米工艺，电控芯片类工业芯片，数64～80纳米工艺。
算芯片，短间内法市销售，使，反正燧公司内部公司众，随智化代逼近，专业工业芯片，需求量越越庞。
通边内部使，边完善芯片设计工艺，未打基础。
纳米线半导体相关进度，黄修远项目。
“玻璃存储器?”惊讶，半导体实验室研究员，申请研项目。
叫苗忠研究员，设计特殊玻璃存储器，玻璃核技术，硅9分分异构体——异硅9分。
与形硅纳米镀层正硅9分，异硅9分本身紫外激光照射，变硅6分三单独硅原。
异硅9硅6，两者光反射太，异硅9偏向反射蓝光频段，硅6则偏向反射黄光频段。
此，通激光改变异硅9，形两反射光点，实信息刻写。
根据苗忠团队实验数据，目实验室，1平方厘米积，实86G数据存储量。
由复合玻璃内部，算储存几千，数据丢失况，果再加硅纳米镀层，外力很难破坏玻璃存储器。
唯缺点，刻录数据，玻璃存储器基本修改，玻璃存储器次性，全部储存点被刻录，再储存数据。
黄修远翻翻详细测试数据，另问题，读取速度，需光投射器光敏解码器配合，虽比般磁盘、磁带快，却慢闪存（U盘），介两者间。
却玻璃光盘潜力，至少冷备份，取代目磁带盘。
谓冷备份，指需长期储存数据，比银户信息、官方机构资料储存、博物馆书籍内容、型互联网企业信息储存类，或者灾难备份。
领域需冷备份，符合冷备份储存条件，必须具备几特点，储存量巨，二保存期限久，三稳定性。
目领域，采磁带盘储存信息，磁带盘常见录音带盘，两者技术。
例光信息数据库，配备两庞磁带储存库，专门备份，确保信息丢失。
虽磁带盘使寿命普遍二三十左右，长达五十，比磁盘3～5，高量级。
玻璃光盘效储存期限，千步，因玻璃被埋降解间，需100万～200万左右。
果储存玻璃光盘仓库，长期保持恒温恒湿，暴露外部环境，玻璃光盘内部数据点，估计维持几万问题。
果攻克逆读写，玻璃光盘甚至取代机械硬盘、部分半导体内存市场。
根据苗忠团队计算，目玻璃光盘数据点，进步提升，数据点复合密度，理论提升0.5纳米极限。
1平方厘米积，理论布置400兆数据点，每数据点，黄光表示0，蓝光表示1。
通常计算机，1字节（B）由8二进制数组，1KB＝1024B，1MB＝1024KB，1GB＝1024MB，1TB＝1024GB，常见数据储存单位。
400兆数据点，换算GB，4.6562万GB，或者45.47TB。
仅仅指头积，理论储存45.47TB数据容量，明其潜力非常巨。
制造普通光盘，储存量绝。
加长间稳定储存，取代半导体储存、闪存，黄修远知，取代磁带盘，已经板钉钉。
专门技术，写份电邮件，给岭南部陆东，给苗忠团队加扶持，研玻璃光盘配套技术。
翻翻其内容，其少价值技术方向，黄修远做批示。
指导，让燧公司科研工，少走弯路，非常重。
候科研，方向至关重，选择错误方向，走入死胡。
黄修远未记忆，清晰科技展路线，项目，否具备走潜力。
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