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478章 真假1微米(1)

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光电议室。

再次聚集

青涩容,真实龄,几位

顾明,右相继退,叶静,实际领导。正段经历,展,打坚实基础。

严亮精力放TFT-LCD技术演化丝精英气质。

系列储备技术,慢慢形,五步光刻技术,。IPS,FFS等批专利技术,《全彩科技》提供挑战底气。

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“《号工程》候。”

零号工程,遭致反才导致《全彩科技》。否则白公司名字,应改《零点科技》才

“其实准备晶圆项目?算啊!”

LCD驱芯片保密。集电路专业已经忙活半仅仅忙,更重烧钱。

EDA软件,二十几万元。虽教育机构购买,优惠,十几万

规模集电路设计,肯定套软件。项目什,近千万民币消失踪影。

钱,白花吧。

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号工程搞法。”

两名乡,随公司长,视角断提高。问题观察点,观察角度,与普通明显。站肩膀,指思。

步步晶圆产业积累。目急,追平先进技术,2微米技术。”

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叶静首先给建议。

1986,电工业部提“531”展战略,即普及推广5微米技术,3微米技术,攻关1微米技术。

间已经整整6,除微米目标外,其它两已经差。1.5微米分步投影光刻机,1985已经研制功。908工程,提进军1微米基础。

间点,晶圆厂,已经少采4-5英寸晶圆,2-3微米技术。

白费,它给光电带足够高.asxs.。

半导体工艺,进步停止。新建几座晶圆厂,已经进步0.5微米

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观点,项目终目,花钱,晶圆厂,义呢?

先进,直接0.35微米!”

功,严亮断滋长。尤其掌握储备技术,让进取

巨头,点臭钱外,?冢枯骨已。

LED业,光电.asxs.很高,世界

TFT-LCD虽差点,至少波。果晶圆变屁股转,光辉形象嘛!

“0.35微米??技术条0.35微米晶圆厂少钱吗?”

晶圆工艺进程逐步提高,晶圆厂造价逐步提高。90820亿,909则100亿原因。

两者区别与,908工艺0.9微米,909则0.5微米。

0.35微米晶圆厂造价,,已经10亿元级别。(0.35微米,批量普及,95,Pentium Pro世界批采此工艺(P854),批量产芯片。)

区别,例产量,晶圆尺寸等。

果晶圆工艺容易话,破光刻机

很快

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“永兴,见?俩叫吵架吧。”

。”

“怎讲?”

“晶圆厂考虑况,空喊口号毕竟积累。

目标,钱白花!2微米晶圆厂,根本义。”

“咦?思?两!”

两位老乡耳朵问题。

准备,2微米半导体设备及工艺,产1微米芯片!”

...

?”

脑袋肯定东西。”

性格沉思片刻完全感叹。

玩笑吧。果真技术,全球企业每投入金钱,改进工艺流程,提高产设备精度?908工程干什?”

叶静性比较保守,风险。

技术工程被叫做号工程缘故。它保密级别甚至高液晶ODF工艺。”

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吧,吧。准备。”

已经永兴召集两商量高度机密性科技信息。

MEMS,LED,及LCD断洗礼,两晶圆工艺已经

世,半导体设备,被津津乐光刻机。普遍认,光刻机半导体工艺瓶颈。

句话

半导体工艺领域,被甩代表设备光刻机。

设备,例蚀刻设备等,它际先进水平,即使差距,差距,甚至某设备,产设备已经始反攻际市场。

光刻机决定半导体制程况,仅仅2005,ASML王山战。

ASML浸入式光刻机,打场翻身仗,竞争掀翻奠定光刻机市场垄断位。

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实际2005,决定半导体芯片制程技术,光刻机。因,光波波长,极限(193 nm).

已经1.5微米光刻机,辅助工艺,达精度。

几十光刻设备求主摩尔定律,通波长数值孔径(NA)更高分辨率。

激光波长,激光波长减少几次,

2004始,光刻机始使193nm波长DUV激光,谁,光刻光源被卡193nm法进步长达十几

哪怕采沉浸式光刻机,仅仅使晶圆工艺功突破节点。

间,半导体工艺工艺演进路线,再次遇类似问题。14nm,10nm,7nm技术突破。升级光刻机

光刻机法升级突破障碍,始寻找别突围方向。

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脑洞方法,真被找

方法思路非常简单,且特别适合代。

完全改变设备技术水平提高晶圆制程!

方法被广泛宣传,晶圆厂使技术,神秘性趣味性。

黑,指况。

者其书:卷鬼神图录
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