光电议室。
三青再次聚集。
虽青涩容,卖真实龄,几位般轻。
顾明,右相继退童军,叶静,孩,童军实际领导。正段经历,未展,打坚实基础。
严亮更精力放TFT-LCD技术演化,今丝精英气质。
系列储备技术,慢慢形,五步光刻技术,品。IPS,FFS等批专利技术,《全彩科技》提供应未挑战底气。
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“《号工程》启候。”
次零号工程,遭致反,才导致《全彩科技》诞。否则白公司名字,应改《零点科技》才。
“其实,知,准备晶圆项目?算候啊!”
LCD驱芯片,什保密。集电路专业帮,已经忙活半。仅仅忙,更重烧钱。
EDA软件,套二十几万元。虽教育机构购买,定优惠,十几万元逃掉。
规模集电路设计,肯定由完。协工,需套软件。项目什果,近千万民币消失踪影。
钱,白花吧。
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“,号工程怎搞法。”
两名乡,随公司长,视角断提高。很问题观察点,观察角度,与普通明显。站巨肩膀,指思。
“认,步步。晶圆产业积累。目务急,追平内先进技术,2微米技术。”
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叶静首先给建议。
1986,电工业部提“531”展战略,即普及推广5微米技术,3微米技术,攻关1微米技术。
间已经整整6,除微米目标达外,其它两已经差完。1.5微米分步投影光刻机,1985已经研制功。续908工程,提进军1微米基础。
间点,内晶圆厂,已经少采4-5英寸晶圆,2-3微米技术。
辈血白费,它给光电带足够高.asxs.。
,几,际半导体工艺,进步停止。新建几座晶圆厂,已经进步0.5微米。
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“观点,,项目目什?果终目达,花钱,建条晶圆厂,什义呢?
,先进,直接0.35微米!”
随断功,严亮野断滋长。尤其掌握几储备技术,让更进取。
眼,际谓电巨头,回。除点臭钱外,什?冢枯骨已。
LED业,光电.asxs.很高,世界。
TFT-LCD虽差点,至少波。果晶圆变跟别屁股转,损光辉形象嘛!
“0.35微米?话脑?技术源哪?知建条0.35微米晶圆厂少钱吗?”
随晶圆工艺进程逐步提高,晶圆厂造价逐步提高。90820亿,909则升100亿主原因。
两者间核区别与,908工艺0.9微米,909则0.5微米。
0.35微米晶圆厂造价,际,已经升10亿元级别。(0.35微米,际批量普及,95,Pentium Pro世界批采此工艺(P854),批量产芯片。)
,其区别,例产量,晶圆尺寸等。
果晶圆工艺容易话,破光刻机必牵。
两很快吵。
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“永兴,啥见?俩叫,吵架吧。”
“,。”
“怎讲?”
“晶圆厂,考虑实况,空喊口号。毕竟积累。
,目标实,钱白花!果2微米晶圆厂,根本义。”
“咦?啥思?两话让全!”
两位老乡,觉耳朵问题。
“次准备,2微米半导体设备及工艺,产1微米芯片!”
...
“怎?”
“知脑袋肯定东西。”
两性格,沉思片刻,完全感叹。
“玩笑吧。果真技术,什全球企业每投入金钱,改进工艺流程,提高产设备精度?908工程干什?”
叶静性比较保守,更风险。
“技术。什工程被叫做号工程缘故。它保密级别甚至高液晶ODF工艺。”
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“吧,吧。准备。”
已经次,永兴召集两商量高度机密性科技信息。
经MEMS,LED,及LCD断洗礼,两晶圆工艺已经陌。
世,提半导体设备,被津津乐,光刻机。普遍认,光刻机半导体工艺落唯瓶颈。
句话,。
,因,半导体工艺领域,被甩远代表设备光刻机。
其设备,例蚀刻设备等,它与际先进水平,即使差距,差距,甚至某设备,产设备已经始反攻际市场。
光刻机决定半导体制程况,仅仅2005。球知,ASML王山战。
ASML浸入式光刻机,打场翻身仗,举本几竞争掀翻,奠定光刻机市场垄断位。
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实际,2005,决定半导体芯片制程几核技术,光刻机。因此,光波波长,撞极限(193 nm).
已经1.5微米光刻机,其辅助工艺,达高精度。
几十,光刻设备求主基摩尔定律,通减波长增数值孔径(NA)获更高分辨率。
激光波长几,激光波长减少几次,继。
2004始,光刻机始使193nm波长DUV激光,谁,光刻光源被卡193nm法进步长达十几。
哪怕采沉浸式光刻机,仅仅使晶圆工艺功突破几节点。
段间,半导体工艺工艺演进路线,再次遇类似问题。世14nm,10nm,7nm技术突破。通升级光刻机实。
光刻机法升级况,突破障碍,始寻找别突围方向。
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随科脑洞,效方法,真被找!
更喜,方法思路非常简单,且特别适合代。
完全改变设备技术水平况,提高晶圆制程!
方法被广泛宣传,因晶圆厂使。技术,失神秘性趣味性。
灯黑,指况。