半导体加工工艺，本质硅晶圆，断曝光，蚀刻程。
工艺提升程，曝光底片图案，断进增密程。
传统印象，底片增密，底片精度提高程。增密底片图案，除提高光刻机精度，别办法吗？
常活，恰例，套色印刷(或者彩色打印）。
三色墨水，每打印精度相，三色重合打印，单色变彩色！
颜色精度，单色8位，升256位！
2005，由工艺制程提升，分辨特征尺寸（MRF）已经远远光源波长，利 DUV 光刻机已经法次刻蚀型。
既法次刻蚀型，刻蚀几次，每次刻蚀部分，拼凑终图案。
每部分图形加工程，原加工方法设备，它实更高精度芯片加工。
它《重图案化技术》！
《重图案法》将图形，分离两或者三部分。每部分按照通常制程方法进制。整图形再合并形终图层。
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按照理论，图形精度简直限分割。
实际，方案它局限。
光刻机，做极限，因光波波长缘故。
图案分割，做，问题。
光罩图形线宽尺寸接近光源波长，衍射将十分明显。
光刻机内部光路光线俘获力限，果足够量达光刻胶，光刻胶将法充分反应，使其尺寸厚度达求。
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续显影、刻蚀工艺应，导致工艺失败。
方法，步进7nm，做。因原理问题。
7nm，必须使EUV（深紫）光刻机，禁运光刻机，理。
阶段（1微米），它问题。阻碍晶圆工艺进步主原因，产设备，工艺，原理。
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任何利弊。
技术优点非常突。需改变设备，或者做很少改变，达提高晶圆工艺求。
弊端很突。
弊端，麻烦。
技术思雏形，次130nm阶段，次完整，则30nm阶段。
什晚？
每图层，进分解，麻烦很啊。方法，完全办法办法。
换高精度光刻机及其配套工艺，解决嘛！30nm，基本往方向思考原因。
其次，本。
加工块芯片需加工工序数目增加。原次加工步骤，两次，甚至四次才。
商芯片制造，很致命。
例，果采次加工，良品率7。完全接受数字。次加工，改四次加工候，整工艺良品率降2。
重图案法核，张图片分解张。存分图片互相校准问题。，实际产程，采工艺，其良品率极降低。
刚才例数据计算，良品率，7，降！
英特尔10nm节点，耗费接近5间，跟重四图案曝光（SAQP）良率较低，关系。
芯片厂，良品率饭碗。
果14nm候，芯片本300元。升级芯片产工艺目，因进程越高，占晶圆积越。采新工艺，芯片产本，降低。功芯片，它本10nm代，应该降150元才。
工艺，增加工序数目，实际已经增加芯片加工本。再加良品率问题，采新方法产芯片，弄本高300元。
况，什量产10nm?
intel占据垄断位候，表更突。PCCPU连续，速度根本怎提升根本原因。
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理由，全彩效，光电效。
全彩，乃至光电，并间芯片公司，10nm工艺解决问题，死问题。
与花。花卖芯片吗？
！卖5G系统！
300元芯片，几万元系统卖！，死路条！
进程升级，节省150元本。它价值几万元！
全彩理。十几元芯片，千元显示器卖！款芯片，代表仅仅十几元加工本。
况，良品率3，1，甚至百分，必须。
，良品率需提高。
良品率提高，磨耐，磨间程，什。
LED代，经历，LCD，正经历。信。
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“真东西啊！项目做，牛B啊！”
老乡黑板，顿比比划划，两听明白。
项目果做。它影响力实太。
TFT-LCD，，做，填补内空白，别夸。绝识难度真。
晶圆吗？
微米方卡久？
1微米技术攻关，531计划期（1986），提。等908工程投产，已经1997。
两级计划，整整走11！，1992，已经走6。
且更重，技术极限，仅仅2微米设备产1微米芯片。理论讲，它甚至实0.5微米！
连909计划需！
三级计划！
继续提高，例0.25微米？
呵呵！
凭此技术，半导体工艺，实世界先进水平反超！
更重，技术需什本吗？
设备，设备啊！
项目做，仅仅永兴，包括严亮叶静，名声噪。次搞三工程院院士，绝问题。