敲定芯片设计研究相关项，石莫相继2012实验室设立研究，形计算机主研集群，精细化分工合整体推进计算机项目。
计算机研集群芯片设计研究，半导体研究，半导体设备研究，电元器件研究，超级计算机研究，沿技术研究，计算机系统研究，计算机应软件研究，网络设备研究。
2012实验室半导体研究：集半导体物理、材料、器件及其应体半导体科技术综合性研究，研究主研究方向领域半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集应研究等。主负责马佐凭、施铭、崔奇胡正民。
马佐凭，微电科。194511月gs省lz市。1974获耶鲁博士位。任耶鲁教授、耶鲁电机系系主任、耶鲁微电研究共主任、津名誉教授。工程院院士、科院外籍院士。
马佐凭做芯片主器件研究，晶体管，cmos等。马佐凭金属/氧化物/半导体（mos）科认知及技术展，尤其mos栅介质（包括高介电常数栅介质）科技领域做重贡献。
施铭，1957毕业台湾，赴留；1960获华盛顿硕士位；1963获斯坦福电机博士位进入贝尔实验室工，1967明非挥性记忆体，次阐述闪存存储数据原理技术；1994选台湾央研究院院士；1995选工程院院士；1998选工程院外籍院士；
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施铭主研究微电科技术与半导体器件，电元件领域做基础性及瞻性贡献。
崔奇，1957香港培正毕业，1958赴深造，读伊利诺伊州奥古斯塔纳院。1967芝加哥获物理博士位，此著名贝尔实验室工。1982任普林斯顿电工程系教授，科院院士，工程院院士，科院外籍院士，科院荣誉教授。199810月13，瑞典皇科院宣布1998诺贝尔物理奖授予崔奇与德科霍斯特施特默科罗伯特劳克林，主表彰并解释电量流体特殊象。
崔奇主电材料基本性质等领域研究，主术兴趣研究金属半导体电性质。研究将应研制功更强计算机更先进通信设备。
胡正民，微电。1968台湾电机系毕业，获士位。1969赴加州伯克利分校留，1970获硕士位。1973获加州伯克利分校博士位。工程科院院士、科院外籍院士，加州伯克利分校杰讲座教授。
胡正民鳍式场效晶体管(finfet)明者，解决晶体做薄漏电问题，并向展，使晶片内构水平变垂直，打破原英特尔全世界宣布将半导体限制，并且术领域屡创高峰，电晶体尺寸及性研屡次创新世界纪录，积体电路设计订定际标准电晶体模型。
2012实验室半导体设备研究：主研半导体产程相关设备，单晶炉、气相外延炉、分束外延系统、氧化炉、低压化气相淀积系统、等离体增强化气相淀积系统、磁控溅射台、化机械抛光机、光刻机、反应离刻蚀系统、icp等离体刻蚀系统、离注入机、探针测试台、晶片减薄机、晶圆划片机、引线键合机等。研究由林本间负责。
石莫建立完整半导体产业链，装备产业将重环节，其需更创新，才引领世界半导体设备展，并推公司芯片工艺制程技术跨越式提升。
2012实验室电元器件研究：主研电脑主板各电元器件，研其电产品元器件，需研元器件电阻、电容器、电位器、电管、晶体管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电显示器件、光电器件、传感器、电源、关、微特电机、电变压器、继电器、印制电路板、集电路、各类电路、压电、晶体、石英、印刷电路基材基板等。研究由卓何蔡少堂负责。
卓何，1955赴，1960毕业伊利诺斯，1961、1968先获该校硕士、博士位。科院院士（1985）、工程院院士（1985）、科与艺术院院士（1989）、科院外籍院士（1996）。
卓何教授际公认分束外延、工微结构材料长新型器件研究领域奠基与拓者。3－v族化合物半导体、金属绝缘体异质外延工结构量阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统展量先驱性研究工。
蔡少堂，1959菲律宾mapua理工院获电气工程士位，19611964分别麻省理工院伊利诺伊厄巴纳尚佩恩分校获硕士博士位。1964-1970普度任教，1971加入加州伯克利分校。提忆阻器、chua电路细胞神经网络等理论。
2012实验室超级计算机研究，其宗旨研究公司主高性计算机系统。科研工主集高性计算机系统结构、系统软件、高性并算法、高性计算应、重构加速计算等几方向。研究由陈世青负责。
陈世青，1972获硕士位，随进入伊利诺攻读博士，师太空署部超级计算机首席设计师戴维库克教授。1979，进入处超级计算机市场垄断位世界超级计算机父克雷公司。世工程院院士，艺术与科院院士，全球著名超级计算机专。研
陈世青研世界台科并向量超级计算机；研使通性cpu型企业服务器系统；研世界台128刀片式超级计算机；研世界互联网基础、应应、态本效率高企业协业间软件；研世界超级计算机基础、全球联网形类似电脑网格信息网络。
超级计算机高科技展素，防经济方必争利器。军密码破译，航太空舱风洞仿真实验，氢弹、核弹、飞弹、航空母舰、战机战车等各新式武器研制，及经济重点企业诸源、航空、汽车、气象、化工、材料等方量使超级计算机技术，，超级计算机价值益重，够高科技水平关键衡量标准，掌握技术重性待言，石莫提布局。
石莫让汪正评负责建立公司晶圆厂，产cpu芯片等。让马佐凭、施铭、崔奇、胡正民、林本间、蔡少堂、卓何等协助汪正评解决晶圆厂产程各技术问题。
汪正评， 1975汪正平宾夕法尼亚州州立博士毕业斯坦福博士研究。1977加入贝尔实验室工，先担任研究员、首席科、杰科。2000选工程院院士；2010全职回，被聘香港文工程院院长，电工程讲座教授；2013选工程院外籍院士；2015选香港科院创院院士
汪正平长期电封装研究，封装材料领域表术论文1000篇，申请专利60余项，被ieee授予电封装领域高荣誉奖-ieee元件、封装制造技术奖。
2012实验室沿技术研究，“创新实验室”，叫“创工厂”。此研究招募量高端才，研究世界沿技术，目标系统化挑选途技术。技术它必须解决够影响数百万甚至数十亿问题。设立项目必须提彻底解决问题办法，必须突破性技术解决问题。沿技术研究够让公司直处代沿，落伍。
石莫敲定几项目，打印机、超市收钱柜、液晶显示器锂电池项目。
80绝部分电视机电脑采crt显示器，液晶显示器技术熟，及制造本高昂抑制液晶显示器展路。21世纪液晶显示器才全取代笨重crt显示器主流显示设备。石莫提布局。
80充电电池镍镉电池主流，随环保识益增加，铅、镉等毒金属使益受限制，因此需寻找新代替传统铅酸电池镍镉电池充电电池。锂离电池力候选者。1990明锂离电池，1991锂离电池实商品化。电池21世纪已经类社必少便捷源，拥巨市场价值，石莫提布局。