光刻机制造难度主三关键设备：光源、双工件台、光刻机镜头。
光源方，毫疑问z世界强，结论激光武器z明显领先m便。
光刻机光源，完全难倒z科研员。
双工件台太容易，据asml研基磁悬浮平电机双工件台产品，其掩模台运控制精度做2纳米，提升芯片加工精度效率。
此先进双工件台，外专曾傲慢：“全世界二机构做。”
仅仅五，z菁华科研团队，研制运精度控制2纳米左右双工件台，功通整机验收。
关键技术指标达际类光刻机双工件台技术水平。
双工件台被z攻克。
光刻机镜头，近z光镜头领域进步飞速，甚至民卫星公司制造光卫星，分辨率达1米、0.5米，航母、军舰、车辆览余，甚至拍摄正飞飞机，拍摄火箭射画，清晰度令吃惊。
民光卫星表已此夸张，军更。
反映，z光镜头领域进步。
光刻机镜头难倒z科研员。
光源、双工件台、光刻机镜头三制造光刻机核设备，z已全部掌握。
正asml公司放z光刻机销售原因……严厉封锁，光刻机领域，导致z更快速度取突破。
兔被逼急，命。
z光刻机至今赶外先进水平，方市场份额被牢牢控；其次走相技术路线，避免侵犯asml知识产权，引专利官司。
再加关键设备禁售。
产光刻机展始终温火。
即便此，绕外专利壁垒，z科院光电另辟蹊径，研制款全新光刻机
超分辨纳米光刻机。
光刻机采与传统光刻设备完全技术路线，采365纳米波长近紫外光源，单次曝光高线宽分辨力达22纳米，结合重曝光技术，制造10~9纳米级别芯片。
款光刻设备，使波长更长、更普通紫外光，普通环境便完光刻，味产光刻机使低本光源，实更高分辨力光刻。
制造本asml公司光刻机几分，乃至十几分。
技术原理层突破，更相别山修路候，打通条隧。
超分辨纳米光刻机虽，却存较严重缺陷。
曝光间长。
尤其实芯片领域，euv光刻机曝光15秒便完任务，超分辨光刻机需十。
更加形象比喻，传统光刻机直接拍张照片，超分辨光刻则拿支笔，慢慢画张图片……效率差别巨。
……
商海微电公司。
公司调研陈今，台22纳米超分辨光刻机，听该公司老张昱明介绍。
“设备，芯片制造，什？”
陈今皱眉头，太惜吧。
“，太慢！各办法提高它曝光效率，曝光张影刻，依需五间，效率传统光刻几万分，完全抵消本优势，适合给较规模市场，比军芯片、光器件、高精密光栅、光晶体阵列等等，领域超分辨光刻机卖几十台。”
“规模芯片制造，老老实实展传统光刻。”
张昱明摇头。
目商微电10nm光刻机，走193nm光源浸式光刻路线，制造本太高，市场竞争力，临asml专利壁垒，故推向市场。
euv光刻方，商微电与内很机构合，取定突破，临专利方问题。
很高精尖设备，z打破垄断，专利壁垒挡。
“办法加快它曝光效率，赶传统光刻机呢？”
陈今问，觉超分辨光刻条路线，真继续走，应规模芯片制造。
“办法！实太难，技术，几乎实。”
“先办法。”
“增加‘笔’数量，光刻镜头做！指头光刻镜头内，集1万微型镜头，让微型镜头参与工，完集电路影刻。”
张昱明摇头，见陈今听脸认真，继续：“芯片内部结构并复杂，每die构造，每晶体管相，万微型镜头，步完工，加快超分辨光刻效率。”
“甚至果做光刻镜头，台超分辨光刻设备内，集十组、百组光刻镜头，直径超100英寸晶圆进光刻，10万、100万微型镜头工，整体光刻效率，甚至远远超传统光刻机！”
“……太难，工业制造力，产光刻镜头，至少等20。”
问题二十，随工业技术提高，传统光刻机造价降，超分辨光刻具明显竞争优势……条路，景虽，却注定条光明。
“，主光刻镜头问题，？”
陈今眼闪烁亮光。
“，主难点镜头。”
“办，镜头办……星海科技，办法提供镜头。”陈今。
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张昱明正点头。
突卡。
扭头陈今，脸惊愕！
呆呆问：“陈什？”